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宏虹 晶圓邊緣曝光紫外UVLED光源方案
基於宏虹 環保型 ALE/1和 ALE/3 UV LED光源，提高電子元器件製造的精確度
提供>95%的均勻性，確保每一次曝光都精准同步，為晶圓製造帶來更高的精確度和品質保障
功率強大，高達17W，且可以實現精確控制，長期保持穩定
配置靈活，提供單波長和混合波長選擇，滿足各類光刻膠需求，同時整合多種工業控制介面，輕鬆融入現有工業系統
精准的晶圓工藝流程為什麼要用到宏虹WEE工具？
晶圓曝光和光刻工藝是半導體電子器件制程中尤為重要的一個工藝步驟，影響最終電子元器件的良率和精確度。這個過程類似於沖洗照片，涉及在矽片上塗覆光敏膠，紫外光線透過掩模後固化膠體，形成所需的圖形結構。即經典的塗布、曝光、顯影和刻蝕工藝流程。
無法避免晶圓邊緣的光刻膠堆積
由於離心力的存在，一部分膠會被推到晶圓的邊緣，形成較厚的邊緣，這部分膠容易從旁晶圓邊緣剝落，影響晶圓表面和內部的圖形，造成顆粒污染。在表面張力的作用下，少量的膠甚至沿著邊緣流到晶圓背面，對晶圓背面造成污染。
傳統化學去邊和邊緣曝光處理方法各有弊端
化學去邊使用溶劑，但處理時間長且成本高。邊緣曝光則透過特定設備旋轉晶圓並精確控制光斑來去除邊緣膠體，這種方法效率高且邊緣輪廓整齊。儘管如此，光的散射可能導致邊緣輪廓不均勻。
WEE工具對於精准的晶圓工藝流程是必須的
當採用正性光刻膠時，WEE工具主要用於允許邊緣處的絕對最小曝光寬度，以最大限度地減少邊緣處的良率損失。WEE 不僅可以提高產量，還可以最大限度地減少電鍍接觸區域的貴金屬浪費。當採用負性抗蝕劑時，WEE工具用於提供一種保護或密封晶圓邊緣的方法，以防止污染物到達WEE曝光路徑邊界內的器件。
（多餘的膠在晶圓邊緣堆積，甚至在表面張力的作用下流到晶圓背面）
(邊緣曝光裝置結構示意圖)
宏虹 WEE曝光光源系統
WEE硬體通常由掃描器、旋轉設備和高性能點光源組成，該光源具有用於晶圓邊緣曝光的光學元件。
宏虹ALE/1 和 ALE/3 UV LED 光源正好適合這些設置：它們是唯一可用於寬頻晶圓邊緣曝光的 i、h 和 g 線的 LED 解決方案。
（使用ALE 1光源進行WEE工藝）
（ALE 1.3光源與汞燈功率對比）
精確控制、提升系統運行效率
環保型UV-LED光源ALE/1和ALE/3可以精確控制，以確保最佳曝光效果。此外，它們還提高了系統日常運行效率：一方面，UV LED 的使用壽命更長，系統的停機時間更短。另一方面，光源的可更換 LED 模組可在現場快速輕鬆地進行維護。
特別適合在現有的WEE工藝中替代傳統燈技術
宏虹UV LED光源具有與汞蒸氣燈非常相似的光譜功率，特別適合在現有的WEE工藝中替代傳統燈技術。寬頻UV LED光源和解決方案與傳統汞蒸氣燈的比較顯示出出色的光譜一致性，同時具有顯著的性能優勢。
可以實現完全控制獲取最佳性能
使用我們的UV LED成像系統，您可以完全控制：單獨配置和控制i、h和g線（中心波長365、405和436 nm周圍的光譜範圍），或將它們一起使用獲得最佳性能。曝光過程非常精確，切換時間不到一毫秒，並長期保持穩定。
WEE系統設計參數
 | 1. 參數關係圖
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- 均勻性：從中心到邊緣不同位置的曝光強度的差異，單位：%
- 曝光面：曝光晶圓邊緣的寬度以及單次曝光的面積大小，單位：mm*mm
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- 曝光強度：被曝光區域上的曝光功率與曝光面的比值，單位：mW/cm2或W/cm2
- 設備空間：指設備中需要整合光源的可用空間，以及放置在設備內部的位置和方式
高功率超精准晶圓邊緣曝光紫外光源方案助您專案成功
套裝產品介紹
ALE/1 紫外點光源
具有高達 30W 的光輸出，採用無汞設計，結合汞放電燈的輻射功率與光譜特性，同時具備 LED 技術的工藝優勢。
基於模組化平臺，該系統可在光路中組合多達 5 個高性能 LED，提供靈活的光譜組成與定制化方案。此光源在 UV 固化應用 中可完美替代傳統的 200W 汞燈，適用於大批量生產中的點固化操作，提供更高效的能量轉換與應用靈活性。
ALE/3 紫外點光源
具有高達 15W 的光輸出，具備 LED 工業穩定性和 TCO 優勢，能輕鬆整合到新舊設置中。
此光源支援多種波長固化模式，可在高波段進行曝光，並在低波段以高強度完成固化，從而形成完全固化的粘合層和光滑完美的表面。它在 UV 固化應用 中是替代傳統 200W 汞燈的理想選擇，提供高效且穩定的固化效果。