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宏虹 半導體光刻光源解決方案
基於宏虹 高功率 ALE 系列 UV LED 光源，輕鬆完成掩膜板光刻曝光
大基板高功率紫外 LED 光刻光源， 替代大功率汞燈的環保選擇，高效改造紫外光刻設備
高靈活性，輕鬆設備整合，單波長或多波長輸出配置可選，完全控制 350-450nm 範圍寬頻曝光光譜，低於 1μm/亞微米範圍高解析度
最高輸出功率可達 80W，長時間提供一致的紫外線輸出，具有長工作壽命和成本優勢，無需額外冷卻時間
替代大功率汞燈的 UV LED 方案
光刻與曝光：高端精密製造的必備過程
紫外光刻和曝光是半導體行業生產各種高端晶片、微觀電路結構的核心技術。在紫外光刻過程中，光源發射的紫外線透過掩模上的微小透鏡或光柵，然後投射到光刻膠層上，形成所需的微細圖案。
汞燈的缺點：非環保、壽命短、不穩定
長期以來，半導體製造領域使用傳統大功率汞燈作為光刻設備的紫外光源。這種光源雖然輸出功率高，但輸出光譜範圍寬，製造和生產過程中會產生對環境有害的物質，並且工作壽命短，更換週期頻繁。UV LED具有獨特的技術優勢和成本優勢，能夠輸出穩定且超高功率的UV輻射，並保證長時間和長工作壽命，為半導體製造領域提供了一種理想解決方案。
綜合考量：成本、空間、相容性與穩定性
基於UVLED的獨特優勢，越來越多的研究實驗室使用UVLED光源代替傳統汞燈燈箱。但設備的更新換代並不是簡單的 “鑰匙開門” 過程，需要考慮更換成本、設備體積以及設備相容性，更關鍵的是保證曝光效果穩定。
光刻曝光不二之選：宏虹 UV LED 紫外光源
宏虹 UVLED 紫外光源提供穩定且超高功率的UV輻射輸出，具有單峰（365 nm）或雙峰波長（365/405 nm 和 405/435 nm）的輸出配置，最高輸出功率可達 80 W，具有長壽命和成本優勢，無需額外冷卻時間，即開即用，取代了傳統的燈箱結構，不再需要主光束折疊鏡、散熱器來吸收在快門和濾光片部件下超過 450 nm 的輻射。
（紫外光刻曝光過程示意圖）
（UV LED 光譜圖）
ALE 系列高功率 UVLED 光源整合方案的優勢
宏虹 ALE 高功率 UVLED 光源與准直泛光曝光光學器件相結合，不僅是將傳統掩模對準器燈箱升級到 UVLED 技術的多功能和靈活選擇，也是更加經濟實惠
宏虹 UV LED 應用領域
整體系統構造如圖所示，由光源輸入端、檢測位和探測輸出端三部分組成。光源輸入端包含宏虹ML光源和自動波長選擇器；檢測位放置不同類型的待測濾光片；探測輸出端則包含自定檢測模組和宏虹光譜儀。該系統針對窄帶帶通濾光片進行檢測，範圍為540-600nm，中心波長580nm。
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半導體、MEMS、LED 晶片、功率器件和微流體行業中的後端光刻應用會使用各種各樣的掩模對準系統。手動、半自動和全自動掩模對準器系統可滿足任何生產環境的要求。 宏虹 UVLED 紫外光源解決方案（ALE/1、ALE/1C 和 ALE/2）已成功整合到各種掩模對準系統中，在接觸式曝光、投影式曝光應用中都能產生出色的效果，現已在4、6、8和12英寸基板上看到了出色的均勻性、准直性 （<2°） 、低至 0.7μm 的高解析度和較高的表面輻射功率。 |
 | 2. 寬頻步進系統寬頻步進系統在先進封裝應用中發揮著至關重要的作用，如扇出晶圓級封裝（FOWLP）、晶圓級晶片級封裝（WLCSP）或矽通孔（TSV）。MEMS 或 LED 等複雜的微觀結構是在高度專業化的步進器件上製造的重要例子。 宏虹寬頻 ALE 光源將 i 線、h 線和 g 線周圍的單個 LED 模組組合成一條光路，可以完全控制 350-450nm 範圍內寬頻曝光的光譜組成，實現低至 1μm 甚至亞微米範圍的解析度，提供更高的輻射輸出。宏虹UV光源方案可靈活選擇工藝中可能需要的光敏先進封裝材料，替代任何甚至高於 1kW 的傳統大功率汞弧燈，提供卓越的系統輸送量。 |
 | 3.准直曝光系統 掩模對準器和步進器能創建一層又一層的精確定位和結構化圖案，以製造複雜的積體電路、化合物半導體和其他微電子器件。許多紫外固化應用要求曝光與半導體生產一樣精確，但不需要具有精心排列的微觀結構層的多個光刻步驟。 該應用更建議使用准直紫外光源曝光，可以將宏虹UV光源解決方案整合到需要紫外線泛光暴露應用中，模組化產品系列可讓您選擇所有元件，以滿足曝光要求。 |
 | 4.光掩模檢測 完美的光罩或光掩模是光刻應用高產量的重要原因。缺陷和污染會導致圖案放置錯誤，這些錯誤會在生產基板上重複複製。光罩檢測系統可説明車間鑒定其光掩模和晶圓，通過降低印刷有缺陷的晶圓和其他基材風險來保障產量。
將宏虹 UVLED 技術整合到用於大型光掩模的光罩檢測系統，可評估進料光罩品質，並在生產過程中定期對標線進行重新認證。該方案具有三大優點： |
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5.WEE 晶圓邊緣曝光 點擊進入：宏虹 WEE 晶圓邊緣曝光紫外 UVLED 光源方案 |
套裝產品介紹
MT白光光源
具有高達 30W 的光輸出，採用無汞設計，結合汞放電燈的輻射功率與光譜特性，同時具備 LED 技術的工藝優勢。
基於模組化平臺，該系統可在光路中組合多達 5 個高性能 LED，提供靈活的光譜組成與定制化方案。此光源在 UV 固化應用 中可完美替代傳統的 200W 汞燈，適用於大批量生產中的點固化操作，提供更高效的能量轉換與應用靈活性。
FWS poly自動波長選擇器
具有高達 15W 的光輸出，具備 LED 工業穩定性和 TCO 優勢，能輕鬆整合到新舊設置中。
此光源支援多種波長固化模式，可在高波段進行曝光，並在低波段以高強度完成固化，從而形成完全固化的粘合層和光滑完美的表面。它在 UV 固化應用 中是替代傳統 200W 汞燈的理想選擇，提供高效且穩定的固化效果。
ALE/1C 紫外曝光系統
宏虹ALE/1C 紫外曝光系統，最多可組合3個UV-LED發射器，提供 350-450 nm 範圍內的窄帶和寬頻紫外輻射輸出
總輸出功率高達 40 W ，搭配外部冷卻器時輸出功率高達 50 W，完全可替代高功率汞燈。系統遵循分散式設計方法，結構緊湊，適合於工業整合。
ALE/2 紫外曝光系統
宏虹ALE/2 紫外曝光系統，提供350-450nm範圍內的窄帶和寬頻紫外輻射輸出；窄帶輸出功率高達 70W ，寬頻輸出功率高達 80W ，完全替代高功率放電汞燈
分散式設計，由一個控制子系統 (CSS) 和一個或多個獨立的曝光子系統 (ESS) 組成，結構非常緊湊，適用於工業整合。