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Primelite UV-LED 曝光解决方案
先進高效、方便快捷、一流性能、多種配置的 紫外光源 與 固化點光源
可在單光譜/多光譜配置中提供高功率性能，降低使用成本和維修頻率，增加工作輸送量
提供與汞放電燈相似的光譜輸出，將原有光刻工藝升級到 UVLED 曝光，且最大化減少調整步驟
高功率的紫外輸出使其在處理厚層感光粘合劑和塗層時發揮優勢，更深入滲透至材料，實現完全固化，提升工作速率
為什麼選擇宏虹高功率UVLED紫外光源？
在半導體製程升級替代汞燈與矩陣型LED
- 更長的壽命：
內建高功率LED 晶片，採用先進的TEC散熱技術與優化的驅動電路設計，大幅降低晶片工作溫度，有效減少光衰，使用壽命可達萬小時 - 自由的波長選擇：
提供365，385，405和435nm單波段/ 多波段波長選擇，滿足不同應用場景對特定波長的需求，精準匹配最適宜的波長，提升工作效果與精度 - 針對每個單一波長都配備回饋控制系統：
無論LED 處於何種溫度狀態，也不管曝光時間長短，每次曝光的強度都能隨時保持一致 - 高功率輸出：
具備高達80W 光功率輸出，遠超普通低功率UVLED 光源，強大的光能量可快速、高效地完成如工業固化這類需要高能量輸入的工作 - 更低的維修成本：
綠色環保無汞，避免了因汞污染帶來的額外處理成本與環保風險；先進的模組化設計與工作穩定性使得設備維護便利、降低設備故障率，降低整體維修成本
Product Lineup
產品組成與核心優勢
光源控制器和發射器分散式設計，減少必須的空間需求，易於工業化整合和各種改造
- High performance computing at 26 TOPS
- Quad-core Arm® Cortex®-A53 MPCore
- Mali-400 MP2, 667 MHz GPU
- 4GB onboard DDR4
全反射液態光導，遠超於傳統玻璃光纖的透過率，減少紫外線傳輸損失
自主設計平行鏡頭，提高光源均勻性和平行度，確保平行光源的準直和後續曝光的分辨率
Applications
Product Features
為半導體/晶圓檢測建構紫外線曝光系統與固化的高功率解決方案
六大核心優勢，領先光電檢測先行
高功率輸出
曝光系統最高可達80W 輸出功率，基於模組化平台，可組合多個高效能LED
無汞可持續
無汞設計，同時結合了汞放電燈的輻射功率和光譜特性，以及LED 技術的製程優勢
製程穩定性
LED工業穩定性和TCO優勢，實現光譜組成的高度靈活性和客製化
分散式設計
由控制子系統(CSS) 和獨立的曝光子系統(ESS) 組成，結構緊湊，適用工業整合。
高純紫外光
簡單切換從UV光到白光的無眩光過渡，固化黏合劑的首選光源
曝光短壽命長
曝光時間及處理時間短，無機械快門；適用多極導光束，使用壽命長。
Customer Examples
電子元件固化
晶圓邊緣曝光
掩膜板曝光
晶圓缺陷檢測
電子元件固化
專案需求：
- 對結構緊湊、邊界縫隙窄且敏感的電子元件進行固化封裝。
- 要求固化深度大於3.5cm，且不能對裝置造成長時間強光損傷。
- 需要提高大批量生產線的固化效率，同時滿足嚴格的品質標準。
Solution:
- 使用高功率UV-LED點光源，從側面照射，能夠完全穿透深層塗層材料，達到分階段固化，確保完美表面
- 提供多極光導輸出，可達4出口，超高功率輸出，在毫秒完成單次固化任務
- 配備柔性光導，支援超遠距離適配機械手臂、機械抓手，並透過光源遠端控制系統實現全程自動化
- 固化深度：>3.5cm，曝光強度：25W/cm²，縮短固化時間：減少60%曝光時間
晶圓邊緣曝光
專案需求：
- 在晶圓製造過程中，需要移除因離心力和表面張力導致的晶圓邊緣較厚的光阻，避免晶圓邊緣剝落造成顆粒污染。
- 要求固化深度大於3.5cm，且不能對裝置造成長時間強光損傷。
Solution:
- 採用特定設備旋轉晶圓並精確控制光斑的邊緣曝光工藝，使用高功率UV光源進行曝光。
- 提供30um邊緣銳利度和25w/cm²曝光強度，有效減少60%曝光時間，增加產量。
掩膜板曝光
專案需求：
- 在MEMS、化合物半導體、功率元件和微流體的後端光刻技術中，需要生產製造整合微結構。
- 需要高均勻度、高解析度的光罩曝光光源或步進式曝光光源，以取代傳統汞弧燈。
Solution:
- 提供高功率UV-LED光源，支援6吋、8吋、12吋晶圓，i-line光強度達100mW/cm2，寬頻光強度達100mW/cm²。
- 準直半角約1.3°FWHM，均勻度±2.3%，能達到高精度曝光。
晶圓缺陷檢測
專案需求：
- 在半導體生產過程中，需要偵測晶圓表面的細微、表層缺陷
- 常規檢測手段（白光檢測、紅外線檢測、顯微檢測）有缺陷資料遺失、無法檢出淺層缺陷等問題
專案需求：
- 使用>13W的405nm UV光源，提供>50mm×50mm的單次偵測面積，能完美檢出第三代半導體的淺層缺陷。
- 彌補紅光、白光檢測範圍的不足，支援靈活整合和操作，可選配AI視覺平台。
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